Переводя память на 40 нм техпроцессы, производитель понижает уровень потребления энергии, повышает плотность записи информации и экономит на издержках производства. Покупатель приобретает более вместительные модули оперативной памяти, которые потребляют меньше электричества. Компания Samsung 24-го февраля объявила о начале производства памяти типа DDR3-1600 с четырехгигабайтными микросхемами, выпускаемых по 40 нм технологии.